セラミックス基板に抵抗やAuSn半田などの薄膜集積回路を形成。光デバイスや高周波デバイスの設計・開発・生産にお役立てください。

・高曲げ強度660[MPa](25℃)、誘電損失tanδ:10-4(25℃)、高周波帯域における優位性を特長とする99.9%アルミナ基板。
・熱伝導率170/200/230[W/m・K](25℃)を誇る窒化アルミニウム基板。
・これらセラミックス基板に、サイドパターン等の薄膜集積回路形成技術やスリット等の特殊加工技術により付加機能を与えることで、様々なご要望にお応えしております。
・熱伝導率170/200/230[W/m・K](25℃)を誇る窒化アルミニウム基板。
・これらセラミックス基板に、サイドパターン等の薄膜集積回路形成技術やスリット等の特殊加工技術により付加機能を与えることで、様々なご要望にお応えしております。
解決できる技術課題
・フォトリソグラフィー技術を用いて、セラミックス基板上に抵抗やAuSn半田を薄膜で形成することが可能です。実装・部品調達の手間を省くことができます。
・薄膜で形成することにより、汎用品に比べて高精度に仕上がります。
・99.9%アルミナ基板は曲げ強度が高く、薄板化の際の割れリスクを低減できます。また高純度のため、不純物による経年劣化リスクを軽減できます。
・薄膜で形成することにより、汎用品に比べて高精度に仕上がります。
・99.9%アルミナ基板は曲げ強度が高く、薄板化の際の割れリスクを低減できます。また高純度のため、不純物による経年劣化リスクを軽減できます。
期待できる用途
・放熱用途
・補強板用途(耐摩耗材)
・マイクロ波、ミリ波用回路基板用途
・各種センサー用途
・補強板用途(耐摩耗材)
・マイクロ波、ミリ波用回路基板用途
・各種センサー用途